55V~200V Trench DMOS具有高密度和低通态电阻特性,FMIC具有成熟及丰富的经验基于55~200V Trench DMOS工艺平台及产品,并能提供完整的设计服务;主要应用于电源管理。
1) 工艺特性 Ø Single poly, single metal N-well DMOS基本工艺 Ø 5-7层光刻工艺 Ø 高密度 Ø 低电阻 Ø 栅极电荷小 Ø 开关速度快 2) 典型应用 Ø UPS,电动工具 Ø DC-DC,M/B Ø 便携器件
1) 工艺特性
Ø Single poly, single metal N-well DMOS基本工艺
Ø 5-7层光刻工艺
Ø 高密度
Ø 低电阻
Ø 栅极电荷小
Ø 开关速度快
2) 典型应用
Ø UPS,电动工具
Ø DC-DC,M/B
Ø 便携器件
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