0.5µm 2P2M 20-60V BiCMOS技术是FMIC自主开发的低导通电阻的BCD工艺平台,其工艺具有典型性,与传统CMOS工艺相兼容,驱动能力强,成本较低,附加值高. 平台产品可以广泛的应用于电源管理、LED驱动、汽车电子等高端消费电子领域。
工艺特性
Ø N 型外延,N型埋层工艺
Ø 双多晶硅栅,多晶硅一用作高压MOS的栅极,Poly2用作低压MOS的栅极
Ø PN结和局部氧化隔离
Ø 氮化硅侧墙工艺
Ø 接触孔和通孔采用钨塞工艺
Ø 可选顶层厚铝
Ø 标准 40V/5V BCD 采用20层光罩,20层光刻层
典型应用Ø 驱动电路
Ø 电源管理电路
Ø D级放大器
Ø 高压模拟产品