800V CDMOS工艺平台集成了 LVCMOS、 MV CMOS 和高压DMOS以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。特别合适离线式电源(AC/DC)和LED 驱动产品设计.
工艺特性
Ø 集成了垂直的800V VDMOS器件,BV超过900V
Ø VLD(横向变掺杂技术)的终端可节省三分之一的芯片面积
Ø 采用了厚外延片,外延电阻率高
Ø 双阱,单多晶,单层金属,背面减薄和背金工艺
Ø 11层光罩,12个光刻层
Ø 集成了各种低、中、高压器件,包含对称和非对称结构,增强和耗尽型的类型
Ø 集成了栅氧电容、齐纳二极管、低阻值多晶硅电阻
Ø 可实现高压和低压器件的隔离
典型应用
Ø 电源管理
Ø 显示驱动
Ø 汽车电子