04µmCMOS工艺平台。0.4微米栅长, 单层多晶，单层金属. 应用于内置RC振荡器和晶体振荡器，内置32*4位RAM, 368K*10的程序ROM空间，放音频率从1.5K～27K。工作电压5V，具有详尽的设计规则文件。

1)        工艺特性

Ø   Ø 0.4微米CMOS，单多晶，单层金属，双阱工艺。

Ø   Ø 工作电压3.3~5伏。

Ø   Ø 衬底材料为P型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。

Ø   Ø 11块掩模版，14个光刻层。

Ø   Ø 可提供N型只读掩模代码。

Ø   Ø 标准的局部氧化隔离工艺。

Ø   Ø 栅氧厚度为125埃，采用硅化物栅极。

Ø   Ø N/P型轻掺杂漏区和侧壁结构。

Ø   Ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。

Ø   Ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。

2)        典型应用

Ø   Ø 内置RC振荡器和晶体振荡器

Ø   Ø 内置32*4位RAM, 368K*10的程序ROM空间

Ø   Ø 放音频率从1.5K～27K